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SIR72105FOA21

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  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

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SIR72105FOA21 技術參數
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 標準包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:2,000 SIR812DP-T1-GE3 SIR814DP-T1-GE3 SIR818DP-T1-GE3 SIR820DP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-RE3 SIR836DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-RE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 SIR864DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3
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