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STS1DNC60

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  • 封裝
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  • 說明
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  • STS1DNC60
    STS1DNC60

    STS1DNC60

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 20000

  • ST

  • 原廠標準封裝

  • 14+

  • -
  • 全新原裝,進口現貨,準時交貨,量大優惠

  • STS1DNC60
    STS1DNC60

    STS1DNC60

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人:許先生

    電話:18898761413

    地址:華強北都會軒4507

    資質:營業執照

  • 6796

  • ST/意法

  • SO-8

  • 24+

  • -
  • 優勢供應 品質保障 可開13點發票

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
STS1DNC60 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STS1DNC60 技術參數
  • STS1DNC45 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):450V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):400mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS1DN45K3 功能描述:MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):450V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS19N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 9.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS17NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1810pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS17NF3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2160pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS210101L360500U129 STS220PC STS2300PC STS230PC STS2400PC STS240PC STS250PC STS25NH3LL STS25NH3LL-E STS260PC STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DPF80 STS2DPFS20V STS-30-DIS STS30N3LLH6 STS-31-DIS STS3C2F100
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