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STS4DF60L

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  • STS4DF60L
    STS4DF60L

    STS4DF60L

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯(lián)系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 18530

  • ST

  • SOP8

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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STS4DF60L 技術(shù)參數(shù)
  • STS4C3F60L 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A，3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS3P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS3DPF60L 功能描述:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:630pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS-31-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local -40°C ~ 125°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 傳感器類型:數(shù)字，本地 檢測(cè)溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測(cè)溫度 - 遠(yuǎn)程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 測(cè)試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-TDFN（2.5x2.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS30N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L
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