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SIR840DP-T1-GE3

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIR840DP-T1-GE3 技術參數

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線標準包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:2,000 SIR870ADP-T1-RE3 SIR870DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3