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STS11N3LLH5

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STS11N3LLH5 PDF下載

功能描述
MOSFET N-channel 30 V 0.012 11A STripFET2
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STS11N3LLH5 技術參數

STS110003L360500U129 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003L360500G918 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003CHIP 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Axial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:* 標準包裝:500 STS10PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS131RA STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z STS1TXQTR STS2 STS20N3LLH6