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STS2DNF30L

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STS2DNF30L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STS2DNF30L 技術參數
  • STS26N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS25NH3LL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS25NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS21 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:汽車級,AEC-Q100 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 傳感器類型:數字,本地 檢測溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.1 V ~ 3.6 V 分辨率:14 b 特性:睡眠模式 精度 - 最高(最低):±0.2°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:6-TDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(3x3) 標準包裝:1 STS20N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4C3F60L STS4DNF30L STS4DNF60 STS4DNF60L STS4DNFS30 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6
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