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參數資料
| 型號： | SDP06S60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Silicon Carbide Schottky Diode |
| 中文描述： | 碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 261K |
| 代理商： | SDP06S60 |
2004-03-23
Rev. 2.0
Page 1
SDP06S60, SDB06S60
SDT06S60
thinQ!
SiC Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Worlds first 600V Schottky diode
Revolutionary semiconductor
material - Silicon Carbide
Switching behavior benchmark
No reverse recovery
No temperature influence on
the switching behavior
Ideal diode for Power Factor
Correction up to 1200W
1)
No forward recovery
Product Summary
V
RRM
Q
c
I
F
600
V
21
nC
6
A
P-TO220-2-2.
P-TO220-3-1.
P-TO220-3.SMD
Pin 1
n.c.
Pin 2
C
Type
SDP06S60
Package
P-TO220-3-1.
Ordering Code
Q67040-S4371
SDB06S60
P-TO220-3.SMD Q67040-S4370
SDT06S60
P-TO220-2-2.
Q67040-S4446
Pin 3
A
Marking
D06S60
D06S60
D06S60
n.c.
C
C
A
A
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
I
F
I
FRMS
I
FSM
Value
6
Unit
A
Continuous forward current,
T
C
=100°C
RMS forward current
,
f
=50
Hz
Surge non repetitive forward current, sine halfwave
8.4
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
Repetitive peak forward current
21.5
T
j
=150°C,
T
C
=100°C,
D
=0.1
Non repetitive peak forward current
I
FRM
28
t
p
=10μs,
T
C
=25°C
i
2
t
value
,
T
C
=25°C,
t
p
=10ms
Repetitive peak reverse voltage
I
FMAX
60
∫
i
2
d
t
V
RRM
V
RSM
P
tot
T
j ,
T
stg
2.3
A2s
V
600
Surge peak reverse voltage
600
57.6
Power dissipation
,
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
W
-55... +175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDB06S60 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT06S60 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDP10S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT10S30 | Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDT10S60 | Silicon Carbide Schottky Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SDP06S60_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Silicon Carbide Schottky Diode |
| SDP06S60XK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| SDP0720Q38B | 功能描述:硅對稱二端開關元件 SDP xDSL 80A Non- Biasd Protec. Device RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| SDP0720Q38CB | 功能描述:硅對稱二端開關元件 SDP Biased xDSL 100A Protection Device RoHS:否 制造商:Bourns 轉折電流 VBO:40 V 最大轉折電流 IBO:800 mA 不重復通態電流: 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:25 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開啟狀態電壓:5 V 關閉狀態電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA |
| SDP08S60 | 制造商:WINSEMI 制造商全稱:WINSEMI 功能描述:8A,600V Ultrafast Single Diode |
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