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參數資料
| 型號： | SGL40N150D |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| 中文描述： | 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 419K |
| 代理商： | SGL40N150D |
2000 Fairchild Semiconductor International
September 2000
SGL40N150D Rev. A
IGBT
S
SGL40N150D
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor
(
IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGL40N150D is designed for the Induction Heating
applications.
Features
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE(sat)
= 3.7 V @ I
C
= 40A
High Input Impedance
Built-in Fast Recovery Diode
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
V
CES
V
GES
Description
SGL40N150D
1500
±
25
40
20
120
10
100
200
80
-55 to +150
-55 to +150
Units
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
I
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
P
D
@ T
C
= 100
°
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
stg
T
L
300
°
C
Symbol
R
θ
JC
(IGBT)
R
θ
JC
(DIODE)
R
θ
JA
Parameter
Typ.
--
--
--
Max.
0.625
0.83
25
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Application
Home Appliance, Induction Heater, IH JAR, Micro Wave Oven
G
C
E
TO-264
G
C
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGL40N150 | Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| SGL50N60RUFD | Short Circuit Rated IGBT |
| SGL50N60 | Short Circuit Rated IGBT |
| SGL50N60RUF | Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes |
| SGL5N150UF | General Description |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SGL40N150DTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Copak Discrete IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGL40N150TU | 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGL41-20 | 制造商:GI 功能描述: 制造商:GSI Technology 功能描述: 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode - free partial T/R at 500. 制造商:GENERAL_SEMI 功能描述: |
| SGL41-20/1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO-213AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| SGL41-20/46 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/20V Io/1A T/R RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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