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參數資料
| 型號： | Si2302ADS-T1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
| 中文描述： | N溝道1.25鎢，2.5 V的MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | SI2302ADS-T1 |
Si2302ADS
Vishay Siliconix
Document Number: 71831
S-41772—Rev. D, 20-Sep-04
www.vishay.com
1
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
(
)
I
D
(A)
20
0.060 @ V
GS
= 4.5 V
2.4
0.115 @ V
GS
= 2.5 V
2.0
G
S
D
Top View
2
3
TO-236
(SOT-23)
1
Si2302DS (2A)*
*Marking Code
Ordering Information: Si2302ADS-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
5 sec
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
8
Continuous Drain Current (T
J
= 150
_
C)
a
T
A
= 25
_
C
I
D
2.4
2.1
T
A
= 70
_
C
1.9
1.7
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
10
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.94
0.6
Power Dissipation
a
T
A
= 25
_
C
P
D
0.9
0.7
W
T
A
= 70
_
C
0.57
0.46
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
--55 to 150
_
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction to Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
±
5 sec.
R
thJA
115
140
_
C/W
Steady State
140
175
Notes
a.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
Surface Mounted on FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si2307BDS | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2307DS | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI2312DS | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI2312DS-T1 | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI2318DS-T1 | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI2302ADS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI2302ADS-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SI2302ADS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI2302CDS | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI2302CDS-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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