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參數(shù)資料
型號(hào): SI3500-A-GM
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù): 4/18頁(yè)
文件大小: 192K
描述: IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 60
類型: 以太網(wǎng)供電開關(guān)(PoE)
應(yīng)用: IP 電話,LAN 網(wǎng)絡(luò)供電,網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)
內(nèi)部開關(guān):
電流限制: 525mA
電源電壓: 42 V ~ 57 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 20-VQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 20-QFN(5x5)
包裝: 管件
配用: SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART
SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
其它名稱: 336-1844-5
Si3500
4
Rev. 1.1
1. Electrical Specifications
Table 1. Recommended Operating Conditions
Description
Symbol
Min
Typ
Max
Units
VPOS  VNEG input voltage
VIN
42

57
V
Ambient Operating Temperature
T
A
40
25
85
Note:  Unless otherwise noted, all voltages referenced to VNEG. All minimum and maximum specifications are guaranteed 
and apply across the recommended operating conditions. Typical values apply at nominal supply voltage and ambient
temperature unless otherwise noted.
Table 2. Absolute Maximum Ratings (DC)
1
Type
Description
Rating
Unit
Voltage
VPOS
  0.3 to 60
V
HSO
 0.3 to 60
V
VSS1 or VSS2
 0.3 to 60
V
SWO
2
 0.3 to 60
V
Current
VPOS
3
  0 to 400
mA
VDD
0 to 2
mA
SWO
0 to 3
A
VSS1, VSS2, or VSSA
  0 to 400
mA
Ambient
Temperature
Storage
 65 to 150
Operating
 40 to 85
Notes:
1.  Unless otherwise noted, all voltages referenced to VNEG. Permanent device damage may occur if the maximum 
ratings are exceeded. Functional operation should be restricted to those conditions specified in the operational
sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may adversely affect
device reliability.
2. Averaged over the switching cycle.
3. VPOS is equal to VPOS1 and VPOS2 tied together for test condition purposes.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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SI3529DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP
Si3540 功能描述:電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 電機(jī)驅(qū)動(dòng)類型:2035 Step 電源電壓:12 V to 35 V 功率額定值:70 W 每轉(zhuǎn)步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA):
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