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參數(shù)資料
型號: SI3500-A-GM
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 5/18頁
文件大?。?/td> 192K
描述: IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
標準包裝: 60
類型: 以太網供電開關(PoE)
應用: IP 電話,LAN 網絡供電,網絡路由器和交換機
內部開關:
電流限制: 525mA
電源電壓: 42 V ~ 57 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 20-VQFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 20-QFN(5x5)
包裝: 管件
配用: SMARTPSE24-KIT-ND - KIT EVAL REF 24PORT SPI/UART
SI3480MS8-KIT-ND - KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
其它名稱: 336-1844-5
Si3500
Rev. 1.1
5
Table 3. Absolute Maximum Ratings (Transient)
1
Type
Description
Rating
Unit
Voltage
VPOS
2
0.7 to 80
V
HSO
0.7 to 80
V
VSS1, VSS2, or VSSA
0.7 to 80
V
SWO
0.7 to 80
V
Current
VPOS
2
5 to 5
A
Notes:
1.  Unless otherwise noted, all voltages referenced to VNEG. Permanent device damage may occur if the maximum ratings 
are exceeded. Functional operation should be restricted to those conditions specified in the operational sections of this
data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may adversely affect device
reliability.
2. VPOS is equal to VPOS1 and VPOS2 tied together for test condition purposes.
Table 4. Surge Immunity Ratings
1,2
Type
Description
Rating
Unit
ESD (System-Level)
Air discharge (IEC 61000-4-2)
16.5 to 16.5
kV
Contact discharge (IEC 61000-4-2)
8 to 8
kV
ESD (CDM)
JEDEC (JESD22-C101C)
750 to 750
V
ESD (HBM)
JEDEC (JESD22-A114E)
2 to 2
kV
ESD (MM)
JEDEC (JESD22-A115A)
150 to 150
V
Notes:
1.  Permanent device damage may occur if the maximum ratings are exceeded. Functional operation should be restricted 
to those conditions specified in the operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may adversely affect device reliability.
2. Care should be taken to follow layout guidelines.
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI3529DV-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI3529DV-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 40V TSOP
Si3540 功能描述:電機驅動器 PKG 3.5A 40VDC IND RoHS:否 制造商:Applied Motion 電機驅動類型:2035 Step 電源電壓:12 V to 35 V 功率額定值:70 W 每轉步距分辨率:200 to 400 框架大小 (NEMA):
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