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參數資料
| 型號： | SI3585DV |
| 廠商： | Vaishali Semiconductor |
| 英文描述： | LEGEND TILES, SET B; RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | N和P溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | SI3585DV |
Si3585DV
Vishay Siliconix
Document Number: 71184
S-03512—Rev. B, 04-Apr-01
www.vishay.com
1
N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.125 @ V
GS
= 4.5 V
2.4
N-Channel
20
0.200 @ V
GS
= 2.5 V
1.8
0.200 @ V
GS
= –4.5 V
–1.8
P-Channel
–20
0.340 @ V
GS
= –2.5 V
–1.2
D
1
G
1
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
2
P-Channel MOSFET
TSOP-6
Top View
6
4
1
2
3
5
2.85 mm
3 mm
D2
G2
S1
S2
D1
G1
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
20
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
12
12
V
T
A
= 25 C
2.4
2.0
–1.8
–1.5
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
1.7
1.4
–1.3
–1.2
Pulsed Drain Current
I
DM
8
–7
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
1.05
0.75
–1.05
–0.75
T
A
= 25 C
1.15
0.83
1.15
0.83
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.59
0.53
0.59
0.53
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
N-Channel
P-Channel
Parameter
Symbol
Typ
Max
Typ
Max
Unit
t
10 sec
93
110
93
110
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
130
150
130
150
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
75
90
75
90
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3948 | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| SI3948DV | Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| SI4435DY | 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| SI4435DY | SHROUD, PRIVACY; RoHS Compliant: Yes |
| SI4450DY | KEYPAD 4 KEY ILLUM ARROW KEYS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI3585DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3585DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3585DV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI3586DV | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3586DV_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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