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參數資料
型號: SIDC08D120H6
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: Fast switching diode chip in EMCON-Technology
中文描述: 快速開關二極管芯片快恢復技術
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 81K
代理商: SIDC08D120H6
Preliminary
SIDC08D120H6
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 4352S, Edition 1, 8.01.2002
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
FEATURES:
1200V EMCON technology 120 μm chip
soft, fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Chip Type
V
R
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
I
F
Die Size
2.2 x 3.7 mm
2
Package
Ordering Code
SIDC08D120H6
1200V
10A
sawn on foil
Q67050-A4110
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
2.2 x 3.7
Area total / active
8.14 / 4.73
Anode pad size
1.48 x 2.98
mm
2
Thickness
120
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
1850 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Anode metallisation
3200 nm AlSiCu
Cathode metallisation
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
Recommended Storage Environment
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PDF描述
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參數描述
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SIDC09D60E6 功能描述:DIODE FAST SW 600V 20A WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
SIDC09D60E6 UNSAWN 功能描述:DIODE FAST SWITCHING SAWED WAFER RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)(最大):50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
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