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參數(shù)資料
| 型號： | SIGC42T170R2C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in NPT-technology |
| 中文描述： | 在不擴散核武器條約IGBT芯片技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | SIGC42T170R2C |
SIGC42T170R2C
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7341M, Edition 2, 04.09.2003
IGBT Chip in NPT-technology
FEATURES:
1700V NPT technology
280μm chip
positive temperature coefficient
easy paralleling
integrated gate resistor
This chip is used for:
chip only
Applications:
drives
G
C
E
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67050-A4117-
A003
SIGC42T170R2C
1700V
17A
6.51 x 6.51 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
6.51 x 6.51
Area total / active
42.38 / 23.8
Emitter pad size
2x( 1.7x3.2)
Gate pad size
1.2 x 1.2
mm
2
Thickness
280
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
deg
Max.possible chips per wafer
328 pcs
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metalization
3200 nm Al Si 1%
Collector metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| SIGC42T60NC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology |
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