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1N4755ATA

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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1N4755ATA 技術參數
  • 1N4755A-T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:1N4755 標準包裝:1 1N4755A-T 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4755APE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4755APE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:4,000 1N4755AP/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):70 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1,500 1N4755CPE3/TR8 1N4755E3/TR13 1N4755G A0G 1N4755G R0G 1N4755P/TR12 1N4755P/TR8 1N4755PE3/TR12 1N4755PE3/TR8 1N4756 G 1N4756A 1N4756A A0G 1N4756A B0G 1N4756A BK 1N4756A G 1N4756A R0G 1N4756A R1G 1N4756A TR 1N4756A_T50A
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