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1N6004BRL

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1N6004BRL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
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1N6004BRL 技術參數

1N6004B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N6004B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N6004B BK 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N6004B 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:32 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6004A 功能描述:DIODE ZENER 15V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:42 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N6005C 1N6005D 1N6005UR 1N6005UR-1 1N6006A 1N6006B 1N6006B BK 1N6006B TR 1N6006B_T50A 1N6006B_T50R 1N6006B-TP 1N6006C 1N6006D 1N6006UR 1N6006UR-1 1N6007A 1N6007B 1N6007B_T50A