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1N6626UJANTX

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    1N6626UJANTXV

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  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5

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  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

  • 1N6626UJANTXV
    1N6626UJANTXV

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  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5

  • MSC

  • -
  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝!

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1N6626UJANTX 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6626 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):220V 電流 - 平均整流(Io):1.75A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.35V @ 2A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):30ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6625US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6625E3 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.95V @ 1.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):80ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:A,軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6625 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.75V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6624US 功能描述:DIODE GEN PURP 990V 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):990V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.55V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 990V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,A 供應(yīng)商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6630US 1N6631 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR
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