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1N6627

配單專家企業(yè)名單

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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N6627
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
360
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

1N6627
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
全新庫存現(xiàn)貨電話010-6210493...

1N6627U
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
16250
Microchip / Microsemi
E-Package-2
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

1N6627
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
500
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1N6627US
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原裝正品價格優(yōu)勢！

1N6627
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
360
MSC
2007/2008
-
公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode Switching 440V 1.75A 2-Pin Case E
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
E - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode Switching 440V 1.75A 2-Pin Case E

1N6627 技術(shù)參數(shù)

1N6626US 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6626 功能描述:DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:220V 電流 - 平均整流（Io）:1.75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.35V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 220V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6625US 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，A 供應商器件封裝:A-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6625E3 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.95V @ 1.5A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:A，軸向工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6625 功能描述:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1100V（1.1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.75V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N6631US 1N6632 1N6632US 1N6633 1N6633US 1N6634 1N6634US 1N6635 1N6635US 1N6636 1N6636US 1N6637 1N6637US 1N6638 1N6638US 1N6638US/TR 1N6639US 1N6640US