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2N4358

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    2N4358

    2N4358

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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    2N4358

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

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  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

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    2N4358

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • 原廠

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2N4358 技術參數
  • 2N4340 功能描述:TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:15V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4339-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):500μA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4339-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):500μA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):500μA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4338-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):50V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):200μA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):300mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4372 2N4373 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393 2N4393-2 2N4393-E3
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