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2N7002-T1.

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2N7002-T1. 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7002T,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 2N7002T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):310mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-666 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051
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