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2N7002EDWT/R

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  • 2N7002EDWT/R
    2N7002EDWT/R

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 原裝PANJIT

  • SOT-363

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2N7002EDWT/R
    2N7002EDWT/R

    2N7002EDWT/R

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 200000

  • 原裝PANJI

  • SOT-363

  • 2014+++

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 2N7002EDWT/R
    2N7002EDWT/R

    2N7002EDWT/R

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 40000

  • 正品panjit

  • sot-363

  • 2016+pb

  • -
  • 原裝現貨

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2N7002EDWT/R 技術參數
  • 2N7002E-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):250mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 250mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2N7002E,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.385A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):385mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 2N7002E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 歐姆 @ 100mA、 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 2N7002DW-TP 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 2N7002-HF 2N7002K 2N7002K,215 2N7002K-7 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235
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