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2N7002EW

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2N7002EW
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
20
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24+
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2N7002EW
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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2N7002EW
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
20
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24+
-
場效應管

2N7002EW
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9943
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2N7002EW
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15000
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SOT23-3
11+
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全新原裝現貨

2N7002EW
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
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2N7002EW 技術參數

2N7002ET3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:10,000 2N7002E-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002ET1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 240mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.81nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26.7pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 2N7002E-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:240mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21pF @ 5V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236）標準包裝:1 2N7002E-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G 2N7002K-T1-GE3 2N7002KT3G 2N7002K-TP 2N7002KW 2N7002L 2N7002LT1 2N7002LT1G 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH