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2N7002M3T5G

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  • 2N7002M3T5G
    2N7002M3T5G

    2N7002M3T5G

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室

    資質:營業執照

  • 580

  • TECH PUBLIC

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  • 集成電路(IC)

  • 2N7002M3T5G
    2N7002M3T5G

    2N7002M3T5G

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 580

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  • 24+

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  • 集成電路(IC)

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2N7002M3T5G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
2N7002M3T5G 技術參數
  • 2N7002LT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 2N7002LT3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10,000 2N7002LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 2N7002LT1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10 2N7002L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7 2N7002T-7-F 2N7002TA 2N7002TC 2N7002-TP 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F
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