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2N7002T-FDI

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7002T-FDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
DIODES
SOT-523
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

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您是不是要找： 2N7002-TP 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7

2N7002T-FDI PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

2N7002T-FDI 技術(shù)參數(shù)

2N7002TC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N7002TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002T-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002T-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z 2N7052 2N7052_D74Z 2N7053 2N7053_D26Z 2N7053_D74Z