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2SA2154MVGR

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2SA2154MVGR 技術參數
  • 2SA2154MFV-GR(TPL3 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SA2154CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2154CT-GR,L3F 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2153-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SA2151A 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:160W 頻率 - 躍遷:20MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SA2174J0L 2SA2180 2SA2186-AN 2SA2199T2LR 2SA2202-TD-E 2SA2205-E 2SA2205-TL-E 2SA2210 2SA2210-1E 2SA2210-EPN-1E 2SA2210-EPN-1EX 2SA2222 2SA2222SG 2SA2223 2SA2223A 2SA608NF-NPA-AT 2SA608NG-NPA-AT 2SA733P
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