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ST-S-112DM

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ST-S-112DM 技術參數
  • STS110003L360500U129 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛 封裝/外殼:徑向 供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003L360500G918 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Radial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:自由懸掛 封裝/外殼:徑向 供應商器件封裝:* 標準包裝:50 STS110003CHIP 功能描述:PTC Thermistor 1k Ohm Axial 制造商:cantherm 系列:STS1 包裝:* 零件狀態:在售 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±3% 工作溫度:-40°C ~ 170°C 功率 - 最大值:10mW 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應商器件封裝:* 標準包裝:500 STS10PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS10P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3525pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS131PC STS131RA STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z STS1TXQTR STS2
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