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APT20M20JLL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT20M20JLL
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT20M20JLL
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13166
APT
直插/貼片
2024+
-
絕對裝原現貨

APT20M20JLL
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專營優勢產品

APT20M20JLL
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT20M20JLL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

APT20M20JLL
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
TO
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT20M20JLL
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
6000
APT
模塊
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT20M20JLL
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
ISOTOP?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

APT20M20JLL
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 200V 104A SOT-227
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
10
系列
*

APT20M20JLL 技術參數

APT20M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:112A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11640pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B