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APT20M20LLLX

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APT20M20LLLX
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
APT
標準封裝
10+
-

APT20M20LLLX
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
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地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
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全新原裝100%正品保證質量

APT20M20LLLX
北京元坤偉業科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
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您是不是要找： APT20M22B2VFRG APT20M22B2VRG APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG

APT20M20LLLX PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT20M20LLLX 技術參數

APT20M19JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:112A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:495nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11640pF @ 25V 功率 - 最大值:500W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT20M120JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7736pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:543W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 標準包裝:1 APT20M120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:672 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7736pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT20M11JVR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20M11JVFR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:21600pF @ 25V 功率 - 最大值:700W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B