欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2552頁 >

APT25GR120BSCD10

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT25GR120BSCD10
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Microsemi
TO247
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT25GR120BSCD10
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247
25+
-
國產品牌，替代進口

APT25GR120BSCD10
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共17條
1

您是不是要找： APT25GR120S APT25GR120SD15 APT25GR120SSCD10 APT25GT120BRDQ2G APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2

APT25GR120BSCD10 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT25GR120BSCD10 PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 75A 521W TO247
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE TRANSISTOR
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES

APT25GR120BSCD10 技術參數

APT25GR120BD15 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:742μJ（開），427μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GR120B 功能描述:IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:521W 開關能量:742μJ（開），427μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:203nC 25°C 時 Td（開/關）值:16ns/122ns 測試條件:600V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT25GP90BG 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:370μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GP90BDQ1G 功能描述:IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:72A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):110A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:370μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:13ns/55ns 測試條件:600V，40A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT25GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，25A 功率 - 最大值:417W 開關能量:500μJ（開），438μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:110nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/70ns 測試條件:600V，25A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J APT2X100D100J APT2X100D120J APT2X100D20J APT2X100D30J APT2X100D40J