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APT60S20SG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT60S20SG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優勢產品

APT60S20SG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
D3S
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

APT60S20SG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
38715
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： APT60S20SG/TR APT64GA90B APT64GA90B2D30 APT64GA90LD30 APT65GP60B2G APT65GP60J APT65GP60L2DQ2G APT66F60B2 APT66F60L

APT60S20SG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT60S20SG PDF下載

功能描述
DIODE SCHOTTKY 75A 200V D3PAK
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器
系列
-
標準包裝
100
系列
-
二極管類型
標準
電壓 - (Vr)（最大）
50V
電流 - 平均整流 (Io)
6A
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢復 = 200mA（Io）
反向恢復時間(trr)
300ns
電流 - 在 Vr 時反向漏電
15µA @ 50V
電容@ Vr, F
-
安裝類型
底座，接線柱安裝
封裝/外殼
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應商設備封裝
DO-203AA
包裝
散裝
其它名稱
*1N3879

APT60S20SG 技術參數

APT60S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 75A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT60S20B2CTG 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 75A Through Hole, Radial TO-247-3 Variant 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:75A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 安裝類型:通孔，徑向封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT60N60SCSG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT60N60SCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:190nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:431W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 APT60N60BCSG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 60A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:431W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT66M60B2 APT66M60L APT68GA60B APT68GA60B2D40 APT68GA60LD40 APT6M100K APT70GR120B2 APT70GR120J APT70GR120JD60 APT70GR120L APT70GR65B APT70GR65B2DU40 APT70GR65B2SCD30 APT70SM70B APT70SM70J APT70SM70S APT75DF170HJ APT75DL120HJ