欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 >

APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管 技術參數
  • APT80GA60B 功能描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):143A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):240A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,47A 功率 - 最大值:625W 開關能量:840μJ(開),751μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:230nC 25°C 時 Td(開/關)值:23ns/158ns 測試條件:400V,47A,4.7 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT80F60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):84A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):598nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):23994pF @ 25V 功率 - 最大值:961W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT8075BN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 6.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 APT8024LLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):240 毫歐 @ 15.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT8024LFLLG 功能描述:MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):31A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 15.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4670pF @ 25V 功率 - 最大值:565W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG APT8M100B APT8M80K APT90DR160HJ APT94N60L2C3G APT94N65B2C3G APT94N65B2C6 APT95GR65B2 APT95GR65JDU60 APT97N65LC6 APT9F100B
配單專家

在采購APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管產品風險,建議您在購買APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管信息由會員自行提供,APT80GA60B功率絕緣柵雙極晶體管內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 禄劝| 浮山县| 通山县| 巫山县| 平湖市| 马山县| 临沧市| 郁南县| 北川| 迭部县| 昭平县| 夏邑县| 巨鹿县| 湘潭县| 南京市| 冕宁县| 新沂市| 扬中市| 六盘水市| 仪征市| 卢氏县| 峨山| 琼中| 千阳县| 巨鹿县| 台北县| 二连浩特市| 廉江市| 和平县| 砀山县| 宁化县| 平陆县| 民勤县| 甘泉县| 连城县| 临洮县| 利津县| 同仁县| 临泉县| 双峰县| 汝南县|