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APTB1612ESGC

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APTB1612ESGC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
KIBGBRIGHT
LED
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！

APTB1612ESGC-F01
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
64000
KINGBRIGHT
603
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

APTB1612ESGC-F
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9789
KINGBRIGH
SMD
15+
-
絕對公司原裝現貨

APTB1612ESGC-F01
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
KINGBRIGHT
SMD
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APTB1612ESGC-F01
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
4171
Kingbright
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

APTB1612ESGC-F01
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北街道華航社區中航路都會B座10012M
資質：營業執照
175000
Kingbright
LED原廠規格
23+
-
真實的資源竭誠服務您

APTB1612ESGC-F01
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
2000
KINGBRIGHT
主營優勢
1837
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

APTB1612ESGC-F01
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
100000
KINGBRIGHT
LED
15+
-
原裝正品現貨

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制造商
Kingbright Corporation
功能描述
LED Bi-Color Green/Red 565nm/627nm 4-Pin Chip LED T/R

APTB1612ESGC 技術參數

APT9M100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2605pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT9F100B 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2606pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT97N65LC6 功能描述:MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:97A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 48.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 2.96mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7650pF @ 25V 功率 - 最大值:862W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT95GR65JDU60 功能描述:IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:135A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):380A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:446W 開關能量:* 輸入類型:標準柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT95GR65B2 功能描述:IGBT NPT 650V 208A 892W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:208A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):400A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，95A 功率 - 最大值:892W 開關能量:3.12mJ（開），2.55mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:420nC 25°C 時 Td（開/關）值:29ns/226ns 測試條件:433V，95A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APTB1612LVBDZGKC APTB1612LZGKSYKC APTB1612SEKCGKC APTB1612SURKCGKC-F01 APTB1612SURKQBDC-F01 APTB1612SYKCGKC-F01 APTB1612YSGC-F01 APTB1615ESGC-F01 APTB1615SURKCGKC-F01 APTB1615SYKCGKC-F01 APTB1615YSGC-F01 APTC60AM18SCG APTC60AM242G APTC60AM24SCTG APTC60AM24T1G APTC60AM35SCTG APTC60AM35T1G APTC60AM42F2G