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APTC90HM60T3G

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說明
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APTC90HM60T3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTC90SKM60CT1G APTC90SKM60T1G APTC90TAM60TPG APTCFGP1VTR APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk

APTC90HM60T3G 技術參數

APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTC90H12T1G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90H12SCTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTC90DSK12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90DDA12T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF