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APTM20AM05FTG

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTM20AM05FTG
    APTM20AM05FTG

    APTM20AM05FTG

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 10523

  • Microsemi Corporation

  • SP4

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
APTM20AM05FTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG LP8
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM20AM05FTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM20AM05FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:317A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20AM04FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:372A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 186A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM95FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:103A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:114 毫歐 @ 51.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1122nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30900pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM70FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:171A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 85.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM120UM70DAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:171A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 85.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG
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