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APTM20UM03FAG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM20UM03FAG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優勢產品

APTM20UM03FAG
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
10
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APTM20UM03FAG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
APT
MODULE
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

APTM20UM03FAG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

APTM20UM03FAG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTM20UM03FAG
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
50
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共15條
1

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功能描述
POWER MOD MOSFET 200V 580A SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
POWER MOS 7®
標準包裝
10
系列
*

APTM20UM03FAG 技術參數

APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM20TAM16FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:104A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM20SKM10TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:175A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 87.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20SKM08TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:208A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 104A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20SKM05G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:317A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG