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BSC043N03MSCG

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  • BSC043N03MSCG
    BSC043N03MSCG

    BSC043N03MSCG

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • INFINEO

  • QFN8

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • BSC043N03MSCG
    BSC043N03MSCG

    BSC043N03MSCG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSC043N03MSCG
    BSC043N03MSCG

    BSC043N03MSCG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 25000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 假一賠十!!

  • -
  • 絕對原裝現貨!

  • BSC043N03MSCG
    BSC043N03MSCG

    BSC043N03MSCG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 10000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 23+

  • -
  • 終端免費提供樣品 可開13%增值稅發票

  • BSC043N03MSCG
    BSC043N03MSCG

    BSC043N03MSCG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • TDSON

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
BSC043N03MSCG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSC043N03MSCG 技術參數
  • BSC042NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 91μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 37.5V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC042N03ST 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC042N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),95A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3660pF @ 15V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC042N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),93A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC042N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),93A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3500pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1
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