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BSC08N03LS

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    BSC08N03LS

    BSC08N03LS

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：張育豪 13360528695

    電話：0755-23607487

    地址：深圳市福田區(qū)華富路1006號(hào) 航都大廈11樓一層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6288

  • INFINEONO

  • TQFN

  • 22+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • BSC08N03LS
    BSC08N03LS

    BSC08N03LS

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEONO

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BSC08N03LS 技術(shù)參數(shù)
  • BSC085N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta），35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC084P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.9A（Ta），78.6A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:58nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC084P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.9A（Ta），78.6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:57.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4240pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC084P03NS3 G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14.9A（Ta），78.6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4785pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC082N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.8A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 110μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0904NSIATMA1 BSC0906NSATMA1 BSC0908NSATMA1 BSC0909NSATMA1 BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03MSGATMA1 BSC0910NDIATMA1 BSC0911NDATMA1 BSC0921NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 BSC0925NDATMA1 BSC093N04LSGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 BSC094N03S G BSC094N06LS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSTATMA1
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