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BSC0904NSIPG

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BSC0904NSIPG 技術(shù)參數(shù)
  • BSC0904NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），78A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），37W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0904NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta），78A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:37W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0902NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta），100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0902NSI 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:23A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0902NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:24A（Ta），100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC0924NDIATMA1 BSC0925NDATMA1 BSC093N04LSGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 BSC094N03S G BSC094N06LS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSTATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1
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