欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSC120N03LSG/G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BSC120N03LSG/G " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSC120N03LSG/G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSC120N03LSG/G 技術參數
  • BSC119N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.9A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1370pF @ 15V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC118N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 70μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3700pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC117N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 22μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC110N15NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):76A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 91μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2770pF @ 75V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 38A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC150N03LD G BSC150N03LDGATMA1 BSC152N10NSFGATMA1 BSC159N10LSF G BSC159N10LSFGATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N15NS5ATMA1 BSC16DN25NS3 G BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1
配單專家

在采購BSC120N03LSG/G進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買BSC120N03LSG/G產品風險,建議您在購買BSC120N03LSG/G相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的BSC120N03LSG/G信息由會員自行提供,BSC120N03LSG/G內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 惠州市| 商洛市| 望都县| 建平县| 曲靖市| 张掖市| 阿鲁科尔沁旗| 兴国县| 海伦市| 新宁县| 德清县| 青阳县| 临城县| 莱州市| 靖宇县| 楚雄市| 望城县| 穆棱市| 自治县| 衡南县| 河北区| 舞钢市| 江油市| 英吉沙县| 宜都市| 西充县| 张家港市| 文成县| 永春县| 武邑县| 宁安市| 石柱| 通辽市| 区。| 柳河县| 搜索| 雅安市| 甘南县| 钦州市| 锦州市| 波密县|