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BSO303SP/303SP

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BSO303SP/303SP 技術參數
  • BSO303PNTMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1761pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO303PHXUMA1 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO303P H 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 8.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2678pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO301SPNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO301SPHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):136nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5890pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.79W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 BSO4804HUMA2 BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327
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