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BSO4420XT

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BSO4420XT 技術(shù)參數(shù)

BSO4420T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2213pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2213pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4410T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 42μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO4410 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 42μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO350N03 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:480pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1