欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BSO4804PB

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

沒找到與 " BSO4804PB " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復發布緊急采購

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSO4804T BSO4822 BSO4822T BSO604NS2XUMA1 BSO612CV BSO612CVGHUMA1 BSO613SPV BSO613SPV G BSO613SPVGHUMA1

BSO4804PB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSO4804PB 技術參數

BSO4804HUMA2 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO4804 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4420T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2213pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4420 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2213pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4410T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 42μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO615C G BSO615CGHUMA1 BSO615CT BSO615N BSO615N G BSO615NGHUMA1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433