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BSO612CVGHUMA1

配單專家企業名單

型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSO612CVGHUMA1
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSO612CVGHUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSO612CVGHUMA1
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
SOP-8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSO612CVGHUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

1/1頁 40條/頁共10條
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8-Pin DSO
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

BSO612CVGHUMA1 技術參數

BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A，2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO604NS2XUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO4822T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 12.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4822 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 12.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4804T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135