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BSO612V

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  • BSO612V
    BSO612V

    BSO612V

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 29115

  • I

  • SO-8

  • 15+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
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BSO612V PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSO612V 技術參數
  • BSO612CVGHUMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO612CV 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A,2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO604NS2XUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):870pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:1 BSO4822T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 12.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSO4822 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 12.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 55μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1640pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 BSOF3S3E-010.0M BSP 51 E6327 BSP 52 E6327 BSP 60 E6433 BSP030,115 BSP100,135 BSP110,115 BSP122,115 BSP123E6327T BSP123L6327HTSA1 BSP125 E6327 BSP125 E6433 BSP125H6327XTSA1 BSP125H6433XTMA1 BSP125L6327HTSA1 BSP125L6433HTMA1 BSP126,115 BSP126,135
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