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BSP-15-350

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    BSP-15-350

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • EQUATOR

  • 原廠封裝

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  • BSP-15-350
    BSP-15-350

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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BSP-15-350 技術參數
  • BSP149L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):660mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 660mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433
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