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BSP129H6906XTSA1

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說明
操作

BSP129H6906XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSP129H6906XTSA1
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭小姐
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1410-1411
資質：營業執照
69100
INFINEON/英飛凌
NA
13+
-
69100

BSP129H6906XTSA1
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
8435
INFINEON/英飛凌
NA
22+
-
可訂貨，請確認

BSP129H6906XTSA1
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯系人：優質現貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10
資質：營業執照
2735
Infineon Technologies
SMD
22+
-
授權分銷商，可追溯原廠可含稅

BSP129H6906XTSA1
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Infineon Technologies
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BSP129H6906XTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT223-4
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSP129H6906XTSA1
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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功能描述
MOSFET 240V 6Ohm 0.05Amp
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續電流
180 mA
電阻汲極/源極 RDS（導通）
4.5 Ohms
配置
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-416
封裝
Reel

BSP129H6906XTSA1 技術參數

BSP129H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP129E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP129E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 350mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP126,135 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP126,115 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1