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BSP129L6906

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  • BSP129L6906HTSA1
    BSP129L6906HTSA1

    BSP129L6906HTSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BSP129L6906
    BSP129L6906

    BSP129L6906

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 250000

  • Infineon

  • SOT223-4

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  • BSP129L6906HTSA1
    BSP129L6906HTSA1

    BSP129L6906HTSA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT223-4

  • 19+

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  • BSP129L6906
    BSP129L6906

    BSP129L6906

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 4479

  • infineon

  • SOT223

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
BSP129L6906 技術參數
  • BSP129L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP129H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP129H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP129E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP129E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1
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