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BSS159NH6906XTSA1

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  • 數(shù)量
  • 廠商
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  • 說明
  • 操作
  • BSS159NH6906XTSA1
    BSS159NH6906XTSA1

    BSS159NH6906XTSA1

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓

  • 100

  • INFINEON

  • NA

  • 23+

  • -

  • 現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

  • BSS159NH6906XTSA1
    BSS159NH6906XTSA1

    BSS159NH6906XTSA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • TO-236-3，SC-59，SOT-2

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BSS159NH6906XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
BSS159NH6906XTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS159N H6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS159N E6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:230mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS192,135 BSS192PE6327 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
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