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BSS159NH6906XTSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSS159NH6906XTSA1
    BSS159NH6906XTSA1

    BSS159NH6906XTSA1

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)振興路上步商務(wù)中心大廈205棟5A10

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2769

  • Infineon Technologies

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)分銷商,可追溯原廠可含稅

  • BSS159NH6906XTSA1
    BSS159NH6906XTSA1

    BSS159NH6906XTSA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • TO-236-3,SC-59,SOT-2

  • 21+

  • -
  • 質(zhì)量保真,價(jià)格實(shí)惠,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
BSS159NH6906XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
BSS159NH6906XTSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.9nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS159N H6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS159N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS159N E6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):230mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS192,135 BSS192PE6327 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1 BSS215P H6327
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