欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第3868頁 >

CPC3708ZTR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPC3708ZTR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
1210
IXYS INTE
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現貨

CPC3708ZTR
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
1000
IXYS INTEG.CIRCUITS DIV(C
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： CPC3710C CPC3710CTR CPC3714C CPC3720C CPC3730C CPC3902CTR CPC3902ZTR CPC3909CTR CPC3909ZTR

CPC3708ZTR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPC3708ZTR PDF下載

制造商
IXYS Integrated Circuits Division
功能描述
N-CHANNEL DEPLETION MOSFET 350 V 14 OHMS SOT-223

CPC3708ZTR 技術參數

CPC3708CTR 功能描述:MOSFET N-CH 350V 0.005A SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:350V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 50mA，350mV 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:300pF @ 0V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 CPC3703ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC3703CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 CPC3703C 功能描述:MOSFET N-CH 250V 360MA SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 200mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:100 CPC3701CTR 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 300mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR