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CPC390J

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CPC390J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • CORNELL DUBILIER ELECTRONICS
  • 功能描述
  • Cap Ceramic 39pF 1000V C0G 5% (9.5 X 4.5mm) Radial 6.4mm 125°C
CPC390J 技術(shù)參數(shù)
  • CPC3909ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 300mA, 0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 300mA, 0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3902ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):1.8W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 300mA, 0V 工作溫度:-55°C ~ 110°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式 功率耗散(最大值):1.8W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 300mA, 0V 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 封裝/外殼:TO-243AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 CPC3730C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):350V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 歐姆 @ 140mA,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A CPC5621ATR CPC5621-EVAL-CDL
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